DELTA台达HCME104610F电感器

2024-11-21 09:25:56

DELTA HCME104610F系列电感器，专为高频应用设计，以精确电感值、低直流电阻、高电流承载能力和宽温度范围（-40℃至125℃）著称，适用于电源管理、无线通信设备、消费电子和汽车电子等多种电子设备，确保高效能和小型化需求。

PMTA-1830-20-3低噪声放大器Princeton Microwave

2024-11-21 09:09:19

Princeton Microwave的PmTA-1830-20-3低噪声放大器，频率范围18至30 GHz，提供20 dB增益和±1.25 dB增益平坦度，噪声系数3 dB，输入输出回波损耗均为-10 dB，输出功率至少10 dBm，工作电压12V，电流100mA，连接器为SMA母头，具备50欧姆匹配、内部电压调节、无条件稳定和密封模块等特点，适用于-50°C至100°C的标准工作温度范围。

NXP LS1020A和LS1022A通信处理器：高性能、低功耗的网络解决方案

2024-11-20 10:25:49

LS1020A和LS1022A是基于Layerscape架构的通信处理器，属于LS1系列，专为无风扇、小尺寸的企业级和消费级网络应用设计。它们配备了双Arm Cortex-A7核心，最高频率可达1.2 GHz，支持虚拟化和高性能计算，提供广泛的集成度和能效。这两款处理器还具备先进的安全特性，支持多种工业协议，并且与LS1021A处理器在引脚和软件上兼容。作为NXP EdgeVerse?边缘计算平台的一部分，它们在网络、PCIe、内存控制和安全引擎等方面提供了丰富的功能和扩展性。

Microsemi 1N6036A至1N6072A双向瞬态电压抑制器TVS

2024-11-20 10:21:17

Microsemi提供的1N6036A至1N6072A系列双向瞬态电压抑制器（TVS）二极管，具有1500W的高脉冲功率和快速响应时间，适用于保护电子设备免受感性切换、射频感应或雷击效应的影响。这些产品提供5.5V至185V的工作电压范围，采用密封的DO-13金属封装，并提供符合MIL-PRF-19500/507标准的军事等级选项以及RoHS合规的商业等级。它们广泛应用于ESD、EFT和雷击保护，具有广泛的温度工作范围和高可靠性，是高可靠性应用的理想选择。

JANTX1N5968军级玻璃齐纳二极管Microsemi

2024-11-20 10:09:51

Microsemi公司生产的1N4954至1N4996、1N5968至1N5969、1N6632至1N6637型号的5瓦特玻璃齐纳二极管是一系列高可靠性产品，适用于军事和商业应用，具有无空隙的密封玻璃封装和内部冶金键合，提供从3.3伏特到390伏特的广泛电压选择，标准公差为±5%，更紧密公差选项为±2%或±1%。这些二极管在-65°C至+175°C的温度范围内工作，能够耗散高达5瓦特的功率，具有优秀的电压调节能力和ESD抗性，且固有辐射硬度，适合极端环境下的应用。

Microsemi JANTX1N5807军级整流二极管 原装现货

2024-11-19 14:21:16

1N5807、1N5809和1N5811是一系列军用级超快速恢复玻璃整流器，具备无空洞密封玻璃封装、四层钝化和内部冶金键合等特性，提供50V至150V的工作峰值反向电压，支持高达125A的正向浪涌电流和6.0A的平均整流输出电流，具有30ns的快速反向恢复时间，适用于军事、航天和高性能开关电源等高可靠性应用领域。

JANTX1N5772低电容二极管阵列 10引脚陶瓷封装Microsemi

2024-11-19 13:53:23

1N5772是一款10引脚陶瓷扁平封装的低电容隔离二极管阵列，设计用于保护多达八个I/O端口免受ESD、EFT和浪涌的影响，具有高击穿电压、低漏电流和低电容特性，适用于高频数据线、RS-232/RS-422接口网络、以太网和计算机I/O端口等应用，并提供符合MIL-PRF19500/474标准的筛选选项。

JANTX1N5284-1电流调节军级二极管Microsemi

2024-11-19 08:56:02

Microsemi 1N5283-1至1N5314-1系列电流调节二极管是一系列0.5瓦特的器件，提供从0.22毫安到4.7毫安的电流选择，具有10%的标准公差。这些器件以其高源阻抗、内部冶金键合和军事级别的资格而著称，能够在广泛的电压和温度范围内稳定调节电流。它们提供灵活的安装选项，对ESD不敏感，并且具有固有的辐射硬度，适用于需要精确电流控制的电子应用。

LS1012ASE7EKB低功耗处理器NXP恩智浦

2024-11-18 13:53:51

LS1012A是一款低功耗处理器，专为电池或USB供电、空间受限的网络和物联网应用设计。它集成了Arm Cortex-A53核心，运行速度达1GHz，功耗仅为1W，支持线速网络性能和多种高速接口。软件上与LS家族设备兼容，属于NXP的EdgeVerse边缘计算平台。特点包括单核1GHz、256 KB L2缓存、16位DDR3L SDRAM、支持高达6 Gbit/s的SerDes、PCIe 2.0、SATA 3.0、USB 3.0/2.0等接口，以及多种外设和安全功能，封装为211 FC-LGA，9.6x9.6 mm。

Connor-Winfield OX200-DK 12Vdc OCXO

2024-11-18 08:55:58

OX200 - DK是12V直流驱动、CO - 8封装的烤箱补偿晶体振荡器。专为特定需求设计，特点有频率稳定性高（±5.0ppb）、温度范围宽、低功耗、低相位噪声和抖动且RoHS合规。电气参数包括供电电压范围、输出特性，还有多种频率稳定性相关参数。

Arizona Capacitors 60J15103聚酯/纸介电容器15KV

2024-11-13 09:26:18

Arizona Capacitors的60J15103聚酯/纸介电容器，额定电压为15000V，电容值范围从0.0005到0.500uf，提供±2%至20%的容差选项，工作温度范围为-55°C至85°C，绝缘电阻为25至50k ΩF，损耗因子在1,000Hz时为0.6%，测试电压为额定电压的150%，适用于高压电路。

LA9310S7S11AA可编程基带处理器NXP恩智浦

2024-11-12 10:59:07

Layerscape Access LA9310是一款高性能、低成本、低功耗的集成ADC/DAC数字信号处理器，专为5G基础设施和定制通信系统设计，具备强大的VSPA DSP、高速采样率、灵活的I/O连接和前向纠错能力，适用于网络监听、小型无线电单元和中继器等应用，提供8mm x 8mm的封装和在105C时1.5W的最大功耗。

MAC57D5xx多核ARM基础MCU微控制器 NXP恩智浦

2024-11-12 09:57:52

NXP的MAC57D5xx系列是一款超可靠的多核ARM基础微控制器，专为汽车仪表盘和工业应用设计，具备Cortex-A5、Cortex-M4和Cortex-M0+多核架构，支持双WVGA显示和HUD变形，集成了先进的图形处理单元和功能安全特性，满足ISO26262 ASIL-B标准，并提供丰富的软件支持和开发工具。

PDI V29-T-25000X-C-B-B-3-R-X压控晶体振荡器VCXO

2024-11-11 09:39:07

PDI VC29系列VCXO可在苛刻环境下精确输出频率，适用于低噪、低抖、高振环境。规格涵盖尺寸、频率范围、输出模式、稳定性、温度、电压等。性能参数包括调频范围、噪声、启动时间、输出电压、电流消耗。有4 - 6引脚配置，特定包装材料，符合相关标准，适用于通信、精密仪器、工业自动化设备等。

Infineon英飞凌P沟道功率MOSFET

2024-11-11 09:27:06

Infineon的P沟道功率MOSFET系列专为中低功率应用设计，具有空穴流载流子、负栅极电压需求、简化设计和广泛电压等级等特点，优化电路设计并易于获取。提供多种封装类型，广泛应用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、DC-DC转换器和低压驱动等领域，包括工业和汽车应用，特别是车规级产品。

CWX813,CWX815,CWX823,CWX825表面贴装CMOS时钟振荡器Connor Winfield

2024-11-08 09:22:56

CWX8xx系列固定频率晶体控制振荡器采用5.0x7.0mm表面贴装封装，适用于高频率稳定性和低抖动应用，工作电压为3.3V或5.0V，频率稳定性为±25ppm或±50ppm，温度范围为-20至70°C，频率范围为1.0至156.25MHz，负载电容为15pF（LVCMOS）或50pF（HCMOS），存储温度为-55至125°C，采用密封陶瓷封装，符合RoHS标准的无铅焊接。

IRLML6401TRPBF：12V单通道P沟道功率MOSFET

2024-11-08 09:15:26

IRLML6401TRPBF是一款由英飞凌科技推出的12V单P沟道功率MOSFET，采用SOT-23封装，专为低功耗和低频率应用设计，具备宽广的安全工作区域、行业标准认证、低频应用中的高性能等特点，适用于DC开关、负载开关等应用，技术规格包括最大漏极电流-4.3A、导通电阻最大50mΩ等，非常适合电源管理、电机控制和电池供电设备。

Ampleon C5H3438N110D功率GaN晶体管3.3-5.0GHz

2024-11-07 09:03:57

Ampleon C5H3438N110D是一款110W GaN Doherty射频功率晶体管，专为3400 MHz至3800 MHz频率范围内的基站应用设计。其特点包括紧凑的8 mm x 8 mm QFN封装、5G mMIMO优化、高效率Doherty配置、宽带操作、内部匹配设计以及优秀的数字预失真能力。适用于多载波应用，提供高带宽和高数据速率，技术参数包括110W名义输出功率、48V漏源电压、13.6至15 dB功率增益和55%至62%的漏极效率。

Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二进制MOS电容器

2024-11-06 09:09:59

Vishay CBA系列MOS电容器有两种总电容版本，电容以二进制增量在0.25 pF - 15 pF间配置，提供多种选择。该电容器可线焊，采用特定介质和基板，尺寸小，用于微波电路混合封装。其电气规格涵盖工作电压、损耗因数、Q值、温度系数和工作温度范围等。

Broadcom PEX88048：50通道PCIe Gen 4.0交换机

2024-11-05 09:06:19

Broadcom PEX88048是一款高性能PCIe Gen 4.0交换机，具备50个通道和端口，支持高速数据传输、低延迟和灵活的fabric拓扑结构，特别适合数据中心和云服务提供商。它具备嵌入式ARM CPU、ExpressFabric架构、48个DMA通道、消除PCIe拓扑限制、专为NVMe AFA系统设计、生命周期活跃功能、双管理端口、低功耗SerDes等特性，旨在构建高性能、低延迟、可扩展的PCIe fabrics。