Bliley Technologies, Inc.推出的BOCSF-XXXMXX-XXXXX系列非PLL晶体振荡器,专为精密电子领域设计,具有1.5MHz到170MHz的宽频率范围、1.8V、2.5V和3.3V的供电电压选项、±25ppm、±50ppm和±100ppm的温度稳定性,以及低功耗设计。其采用SMD结构和3.2 x 2.5mm封装,符合Mil-Std-202标准,适用于军事、卫星通信、电信和精密仪器仪表等高端应用,在-55°C至+125°C的极端温度范围内提供稳定可靠的时钟信号。
Princeton Microwave Technology的PmTA-721-45-2.3低噪声放大器是一款专为7至21 GHz频率范围设计的高性能微波放大器,适用于通信和雷达系统。其主要特点包括45 dB的小信号增益、2.3 dB的低噪声系数、50欧姆的输入输出匹配、内部电压调节和偏置排序、无条件稳定性、密封模块设计以及-50?C至100?C的宽工作温度范围。该放大器通过提供稳定的电源管理和操作,确保在各种极端环境下都能稳定运行,满足现代通信和雷达系统对高性能放大器的需求。
Linear Systems的J174、J175、J176、J177系列P沟道JFET开关采用小型DFN封装,具有低导通电阻(≤85Ω)和低栅极开启电流(10pA),可替代Fairchild和Siliconix-Vishay零件。这些开关提供DFN 8L、TO-92 3L、SOT-23 3L及裸片封装,适用于需要低电阻和低工作电流的开关应用
iNRCORE 的 1000B-5003FXNL 是一款专为严苛环境设计的 10/100 BASE-T 单端口变压器模块,尺寸为 27.94 × 7.62 × 8.64 mm,采用表面贴装技术(SMT),支持双通道配置和全面的接收与发送配置,数据传输速率高达 1000 Mbps,隔离电压为 1500V。具备 50 针封装、宽工作温度范围(-55°C 至+125°C)和宽储存温度范围(-55°C 至+125°C),采用 Sn100 表面处理,湿度敏感度等级为 3 级,符合 RoHS 认证,适用于军用和航空级别的高可靠性应用。散装包装便于各种规模的生产需求。
Statek SWCX1 扫频石英晶体频率范围为 6 MHz 到 250 MHz,具有抗辐射能力(耐受 100 kRad 及以上辐射),采用表面贴装设计,三点安装结构提供高抗冲击性。产品特点包括超高可靠性、定制设计、军用和空间筛选可用、低老化率、关键工艺在 10 级洁净室中进行,符合 NASA 标准。应用领域涵盖军事与航空航天、卫星、太空探测系统、深空探测器和遥测等高可靠性场合。
Connor-Winfield XL-1A 和 XL-1C 晶体谐振器是用于基频和泛音 AT 切割晶体的系列产品,采用 7.62x5.08 毫米密封陶瓷封装。频率范围为 8 至 100 MHz,频率容差和温度稳定性均为±50 ppm,工作温度范围为-10°C 至 60°C,并联电容为 7 pF,驱动电平典型值为 0.1 mW,具有±5 ppm 的抗冲击性和抗振性,绝缘电阻为 500 M Ohm @100Vdc ±15Vdc。产品特点包括基频或泛音 AT 切晶体、±50ppm 频率校准、±50ppm 温度稳定性、表面贴装封装、卷带包装,且符合 RoHS 标准/无铅。
Interpoint cMOR系列DC-DC转换器(单/双通道)采用薄型封装,功率达120W,输入电压15-50V,在MIL-PRF-38534 H/K类认证设施中制造,密封于钢壳内,适用于高可靠性项目,工作温度-55°C至+105°C。
Ampleon BLF1043是一款用于基站的10W功率放大器,工作频率范围HF至1000MHz。其特点包括简易功率控制、稳定性好、高功率增益(16.5dB)、热稳定性佳、宽带操作和SMD封装,适用于基站RF功率放大器(如GSM、EDGE、CDMA)、多载波应用(800-1000MHz)和广播驱动器。技术参数包括1000MHz频率范围、1dB增益压缩点10W名义输出功率、16.5dB功率增益、38%漏极效率和-25dBc三阶互调失真。
Infineon的BAR88-02V硅PIN二极管专为手持设备设计,具有低正向电阻(1 mA时为1.5Ω)、低电容(0.28 pF@1 GHz)、极低信号失真和无铅RoHS封装。适用于无线通信(如手机、WLAN)和高速数据网络(如LTE、5G),技术参数包括0.4 pF电容、单管配置、100 mA最大正向电流、0.6Ω正向电阻、80 V最大反向电压和500 ns反向恢复时间。因其高速开关和低信号失真特性,符合绿色制造标准。
Solitron公司生产的JAN/JANTX/JANTXV标准小信号JFETs,提供N型和P型两种类型,导通电阻小于25Ω,经过S级等效筛选,是Vishay和Siliconix产品的优越替代品。
Vanguard Electronics推出了新的共模扼流圈电感器系列,这些电感器设计用于在恶劣环境下工作,频率覆盖100KHz至600KHz以上。它们具有紧凑设计、多种尺寸选择、-55°C至125°C的宽温工作范围和多种电感电流组合。SCMN系列还符合MIL-STD-981标准,适合军事和高端工业应用。
PDI L4系列石英晶体振荡器提供密封石英晶体和多种封装选项,支持客户定制频率和参数。其频率范围广,稳定性高,具有定制的频率容差、等效串联电阻和负载电容,老化率低,尺寸紧凑,适用于通信、医疗、工业控制、汽车和消费电子等多个领域。
HCME0995大电流SMT功率电感器是台达(DELTA)公司推出的一款高性能电感器,专为高电流应用设计。该电感器具有紧凑的表面贴装封装,能够有效降低电路中的电流噪声和电磁干扰,确保设备的稳定性和可靠性。其核心材料和绕组设计使得它在高频率下也能保持优良的性能,适合于开关电源、DC-DC转换器等多种应用场景。
Ampleon的BLA6G1011LS - 200RG是一款200W专为航空电子应用设计的LDMOS功率晶体管,工作频率在1030 MHz至1090 MHz,具有如28V电源电压、100 mA静态电流、200W输出功率、20 dB功率增益、65%效率等典型性能参数,还有易于电源控制、集成ESD保护、增强坚固性、高效率、优异热稳定性、专为宽带操作、内部匹配易用、符合RoHS指令等特点优势。
WYO222MCMBF0KR是VISHAY生产的单层陶瓷电容器,由两面镀银陶瓷盘构成,连接引线为直径0.6毫米镀锡铜线,有直线或扭结引线两种形式、5.0毫米或7.5毫米的引线间距,外部涂层为蓝色阻燃环氧树脂。它符合相关标准,具有高可靠性、多种特性,电容范围1.0 nF - 12 nF、公差±20%,绝缘电阻等参数明确,额定电压因应用类别而异,还有不同的测试电压,适用于多种场景。
Rogers curamik Performance基板为高性能电子基板,采用活性金属钎焊工艺与铜焊接的Si3N4陶瓷材料,适用于汽车电力电子等需长寿命、高功率密度和高稳定性的场景,有热导率高(20°C时达90W/mK)、6种厚度选项、特定热膨胀系数(20 - 300°C为2.5ppm/K)等特性,具备高性能应用、高功率密度、成本与性能平衡等优势,还有母板尺寸、最大可用面积、铜剥离强度以及铜线宽度/间距等相关参数。
IR2104STRPBF是一款600V半桥栅极驱动器IC(可选8引脚SOIC或PDIP封装),适用于IGBT和MOSFET驱动。它有诸多主要特点,如专为自举操作设计的浮动通道、能在600V下完全运行、对负瞬态电压容忍度高、不受dV/dt影响、栅极驱动供电电压10 - 20V、有欠压锁定功能、兼容多种逻辑输入、防止交叉传导逻辑、双通道匹配传播延迟、内置死区时间、高边输出与输入同相、有关断输入可关闭双通道等。
Broadcom BCM85667是一款高性能的16通道PCIe Gen6和CXL 3.1集成MAC和PHY重定时器,具备低功耗和低延迟特性。它支持多种数据速率,扩展信号损耗超过36 dB,并提供灵活的通道配置和多种电源模式。设备还集成了多项高级功能,如动态伪端口、I?C/SPI接口、环回测试等,采用5nm CMOS工艺,功耗仅为13瓦,适用于HPC、AI服务器等高要求场景。
DATEL HB系列DC-DC电源模块采用标准全砖封装,输出功率高达350W,具备92%高效率、高功率密度和1500V直流隔离,支持70A输出电流和18至75V宽输入范围,适用于-40°C至+100°C的极端温度环境,并提供远程开/关、远程感应、电压调整及多重保护功能。
IR21844SPBF 是一款专为驱动 IGBT 和 MOSFET 设计的 600V 半桥栅极驱动器 IC,具备高电压容限、低传播延迟和双通道欠压锁定功能,适用于电机控制和电源应用。其主要特性包括 600V 电压等级、1.9A 拉电流和 2.3A 灌电流输出、多种封装形式(14 引脚 SOIC、14 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、8 引脚 PDIP)、10V 至 20V 栅极驱动电压范围、3.3V 和 5V 输入逻辑兼容性、双通道欠压锁定功能(VCC 和 VBS)、以及较低的 di/dt 栅极驱动器设计。该器件适用于电机控制、电动工具、电源集中式逆变器解决方案和家用电器等多种应用。
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