Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

发布时间：2025-05-29 09:00:32     浏览：1449

　　Solitron Devices 公司的 SD11714 1200V SiC N-Channel Power MOSFET ，采用TO-257 3引脚封装，低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)，具有雪崩能力，气密封装，适用于高可靠性应用。

Solitron Devices SD11714 1200V SiC N沟道功率MOSFET

　　主要参数

　　漏源电压(VDS)：1200V

　　连续漏极电流(ID)：25°C时为17A

　　导通电阻(RDS(on))：25°C时为160mΩ

　　栅极阈值电压(VGS(th))：1.8V~3.6V

　　最大功耗(PD)：97W

　　工作温度(TJ)：-55°C~+175°C

　　体二极管特性

　　正向电压(VSD)：4.25V

　　反向恢复时间(trr)：34ns

　　反向恢复电荷(Qrr)：197nC

　　应用领域

　　开关电源

　　DC-DC转换器

　　PFC电路

　　电机驱动

　　机器人控制

更多Solitron Devices SiC MOSFET相关产品信息可咨询3118云顶集团创展。

上一篇: DATEL ADC-HZ12BGC传统模数转换器

下一篇: GAMMA LXR30系列高压电源1-50KV

推荐资讯

  • TDK μPOL电源模块替代方案
    TDK μPOL电源模块替代方案 2023-12-25 09:01:44

    　　TDK? μPOL? DC-DC转换器，这是业界最紧凑、功率密度最高的负载点解决方案，适用于大数据、机器学习、人工智能(AI)、5G蜂窝、物联网和计算企业等应用。

  • Statek CX18SHG1CSM1 AT-Cut石英晶体：高性能频率控制组件
    Statek CX18SHG1CSM1 AT-Cut石英晶体：高性能频率控制组件 2024-11-29 09:43:01

    Statek公司的CX18 AT-Cut石英晶体是一款高性能频率控制组件，专为高可靠性应用设计，频率范围为30 MHz至100 MHz，采用小型高冲击封装，提供四种尺寸选项，具备高冲击和振动存活能力、氦气密封外壳、长期老化特性及宽温度范围（-55°C至+125°C）。适用于医疗设备、军事和航空、工业通信等领域，技术规格包括32.0 MHz至49.0 MHz的基本频率、60至45 Ω的运动电阻、1.0至1.2 pF的运动电容、高达80,000的品质因数等。

在线留言

在线留言