Solitron碳化硅电源模块
发布时间:2024-10-28 08:58:35 浏览:467
Solitron公司生产的一系列基于硅碳化物(SiC)半导体的功率模块。这些模块设计用于提高电源应用的系统效率、尺寸、重量、外形尺寸和工作温度范围。
关键特性:
1. 零正向和反向恢复:意味着这些模块在开关时损耗非常低。
2. 温度独立开关行为:模块的性能不会随着温度变化而变化。
3. 非常低的杂散电感:这对于SiC MOSFETs的全速开关至关重要。
4. ALN基板:用于提高硅碳化物MOSFETs的热导率,从而实现更好的系统热性能、更低的开关损耗和更高的可靠性。
5. 内部热敏电阻:用于温度监测。
产品系列:
半桥模块:这些模块具有非常低的杂散电感,适合高速开关。
全桥模块:提供高密度的功率转换解决方案。
PowerMOD系列:应用特定功率模块,用户可以选择不同的电路配置和封装选项,以最佳地适应特定应用。
应用领域:
开关模式电源
逆变器
电池充电器
执行器和电机控制应用
产品规格:
Device Type | Type Number | Volltage | Continuous Current | Rsm | Temperature Range | Recovery Diodes | Package |
Half Bridge | SD11487 | 1200V | 95A | 12mQ | -55℃to 175℃ | Yes | 6x6 |
Half Bridge | SD11902 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
Half Bridge | SD11903 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6A |
Half Bridge | SD11904 | 1200V | 50A | 32mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6A |
Half Bridge | SD11905 | 1200V | 50A | 32mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11906 | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
HalfBridge | SD11956 | 1200V | 105A | 13mg | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11907 | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to175℃ | Yes | 3x6B |
Half Bridge | SD11957 | 1200V | 105A | 13mQ | -55℃to 175℃ | No | 3x6B |
Half Bridge | SD11908 | 650V | 50A | 7mo | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
HalfBridge | SD11910 | 1200V | 50A | 8mg | -55℃to 175℃ | Yes | 3x6B |
Dual MOSFET | SD11911* | 1200V | 50A | 8.6mQ | -55℃to 175℃ | Yes | 4x6 |
Dual MOSFET | SD11912* | 1200V | 105A | 13mo | -55℃to 175℃ | Yes | 4x6 |
Full Bridge | SD11915* | 1200V | 40A | 32mo | -55℃to 175℃ | Yes | 4x10 |
推荐资讯
Q-TECH?的表面贴装QTCC576振荡器通过一个3.3Vdc、2.5Vdc的IC和一个内置在带电镀金接触垫的超薄型陶瓷封装中的超小型条形AT石英谐振器组合而成。
Connor-Winfield的6引脚表面贴装VCXO提供VSM61**#、VSM62**#和VSM64**#三种型号,频率范围均为2MHz至100MHz,频率稳定性分别为±25ppm、±50ppm和±20ppm。
在线留言