LSK389超低噪声单芯片双通道N沟道JFET

发布时间：2024-01-11 09:41:14 浏览：902

LSK389 系列超低噪声、单片双通道 N 沟道 JFET，现已经过 100% 测试，符合或超过噪声规格。

LSK389 是同类产品中噪声最低的结型场效应晶体管 (JFET)，十多年来一直用于超高端应用。LSK389使开发人员能够为传感器、专业音频设备和其他应用创建噪声最低的信号链。

Linear Systems推出 LSK389 后，能够对小信号分立元件进行单独筛选，其噪声水平低于十亿分之一伏特 (nV/√Hz)，数量可达数万个零件。这种测试能力是全球唯一的测试能力，可确保所有出厂的LSK389都不会产生突发(RTN或爆米花)噪声，并达到或超过1/f和宽带噪声规格。

LSK389超低噪声单芯片双通道N沟道JFET

LSK389 超低噪声、单芯片双通道 N 沟道 JFET 为设计人员提供了一种性能更好的解决方案，与使用单个 JFET 或非单片双通道 JFET 相比，可实现更紧密的 IDSS 匹配和更好的热跟踪。该器件是高跨导、超低噪声和相对低输入电容的理想组合。

LSK389 是 Linear Systems 低噪声 JFET 系列的领先产品。LSK170 是 LSK389 的 N 沟道单通道版本，LSJ74 是 LSK170 的 P 沟道对应版本。与LSK389相比，N沟道双LSK489的噪声略高，但输入电容较低，LSJ689是其P沟道双通道。除 LSK 系列外，所有 Linear Systems 的 JFET 标准产品的噪声都远低于其他制造商的产品，并以改进标准产品?商标进行销售。

特征描述：

超低噪声：en = 1.3nV/√Hz (典型值)，f = 1.0kHz，NBW = 1.0Hz

四个等级的IDSS：2.6-6.5mA、6.0-12.0mA、10.0-20.0mA和17-30mA，IDSS匹配率为10%

紧密匹配：IVGS1-2I = 15mV(最大值)

高击穿电压：BVGSS = 40V(最大值)

高增益：Gfs = 20mS (典型值)

相对较低的电容：25pF (典型值)

采用表面贴装 SOIC 8L 和通孔 TO-71 6L 封装。

好处：

改进的信号链噪声性能

由于独特的单片交错式双设计结构，可实现更好的匹配和热跟踪

通过提供宽输出摆幅，为电池供电应用提供更好的性能