MICRON DDR4 SDRAM

发布时间:2022-04-24 17:03:57     浏览:1049

MICRON DDR4 SDRAM是高速动态随机存取储存器,内部配备有x16配置的8DRAMX4X8配置的16DRAMMICRON DDR4 SDRAM选用8N预取构造,实现高速运行。8N预取构造与接口相结合,设计适用于在I/O引脚上每时钟周期传输两个数据项。MICRON DDR4 SDRAM的单次读写操作包括在内部DRAM内核上进行一次8N位宽的四时钟数据传输,及其在I/O引脚上进行两次相应的n位宽的半时钟周期数据传输。MICRON DDR4 SDRAMDRAM的下一次开发,它提供了更高的性能和更强大的控制作用,同时提高了企业、微型服务器、笔记本电脑和超薄客户端应用程序的能源经济性。

深圳市3118云顶集团创展科技有限公司,以库存MICRON高可靠性内存颗粒芯片和工业级内存条为特色产品优势。欢迎咨询合作。

详情了解MICRON请点击:/brand/54.html

MICRON.png

Product

Clock Rate (CK)


Data Rate


Density

Prefetch (Burst Length)

Number of Banks


Max

Min

Min

Max




SDRAM

10ns

5ns

100 Mb/s

200 Mb/s

64–512Mb

1n

4

DDR

10ns

5ns

200 Mb/s

400 Mb/s

256Mb–1Gb

2n

4

DDR2

5ns

2.5ns

400 Mb/s

800 Mb/s

512Mb–2Gb

4n

48

DDR3

2.5ns

1.25ns

800 Mb/s

1600 Mb/s

1–8Gb

8n

8

DDR4

1.25ns

0.625ns

1600 Mb/s

3200 Mb/s

4–16Gb

8n

816


推荐资讯

  • STATEK高温晶体CX1HT EXT和CX4HT EXT
    STATEK高温晶体CX1HT EXT和CX4HT EXT 2024-07-11 09:13:44

    STATEK 提供的高温晶体 CX1HT EXT 和 CX4HT EXT系列,专为在极端高温环境下稳定运行的应用设计。这些晶体能在高达200°C的温度下工作,预计寿命超过100,000小时,特别适合工业、井下仪器、旋转轴传感器和地下钻探工具等场合。主要特点包括高温操作(最高200°C)、高抗冲击性、低电磁干扰(EMI)辐射和气密性陶瓷封装。应用领域包括井下仪器、旋转轴传感器、地下钻探工具以及其他需要高温稳定性和可靠性的工业应用。

  • Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU
    Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU 2021-03-03 17:17:18

    Renesas? RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核,该核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋层(SOTB)工业技术的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基准中,ULPMark-CP评分非常高,达到705。

在线留言

在线留言