ADI晶圆各种材料工艺对应输出功率及频率

发布时间：2021-05-21 17:09:32     浏览：2867

在电子器件中，射频和功率应用是主要的。GaN on SiC、GaN自支撑衬底、GaAs衬底、GaAs on Si主要用于射频半导体(射频前端PA等)，而Gan on Si和SiC衬底主要用于功率半导体(汽车电子学等)。

由于其高功率密度，GaN在基站大功率器件领域具有独特的优势。与硅衬底相比，SiC衬底具有更好的导热特性。目前，工业上95%以上的GaN射频器件使用SiC衬底，如Qorvo是基于SiC衬底的，硅基GaN器件可以在8英寸的晶片上制作，具有更高的成本优势。在功率半导体领域中，SiC衬底与GaN on Silicon的竞争仅占该领域的一小部分。GaN市场主要集中在低压领域，而SiC主要用于高压领域。他们的边界约为600 V。

深圳市3118云顶集团创展科技有限公司，优势渠道提供ADI晶圆产品Waffle,专业此道，欢迎合作。

详情了解ADI Wafer Products请点击：/brand/68.html

或联系我们的销售工程师：0755-83050846   QQ: 3312069749


 ADI.png

上一篇: DYTRAN 3168D2系列机载加速度计

下一篇: Bird-射频专家精密功率传感器

推荐资讯

  • Minco刚柔结合板RIGID FLEX PCB
    Minco刚柔结合板RIGID FLEX PCB 2025-08-20 10:42:19

    Minco公司推出的刚柔结合板（Rigid Flex）产品，融合了柔性电路板的可弯曲特性和刚性电路板的稳定性，通过多种堆叠变化实现电气与机械性能的完美结合，减少连接点以提升可靠性，并采用坚固材料为航空航天、医疗和国防等领域的应用提供额外保护。

  • Q-TECH数字补偿晶振MCXO
    Q-TECH数字补偿晶振MCXO 2022-01-06 15:13:49

    MCU主要用于对温度传感器的温度值进行采样，将结果存储在单片机中，将补偿数据信号输出到高精度D/A转换，发送到补偿电路获得补偿电压，并通过补偿电压对振荡频率进行补偿，从而大大降低温度变化对晶体振荡器稳定性的影响。

在线留言

在线留言